TSF2N60M транзистор

N-Channel MOSFET,Vdss=600V, Id=2A, Pd=23,6W, Rds(on)=5 Ohm

N-канальный МОП-транзистор 600 В

Общее описание

Этот силовой МОП-транзистор изготовлен с использованием технологии Truesemi. передовая планарная полосовая технология DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизировать сопротивление в открытом состоянии, обеспечить превосходное переключение производительность и выдерживать импульс высокой энергии в лавинный и коммутационный режимы. Эти устройства хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активная коррекция коэффициента мощности на основе полумоста топология.

Функции

• 2,0 А, 600 В, RDS(вкл.) = 5,00 Ом при VGS = 10 В

• Низкий заряд затвора (обычно 9 нКл)

• Высокая прочность

• Быстрое переключение

• 100% лавинное тестирование

• Улучшенная функция dv/dt