Транзистор S8550D

Транзистор S8550D — это биполярный PNP-транзистор, используемый для усиления в схемах, часто в паре с комплементарным NPN-транзистором S8050, имеющий структуру p-n-p, работающий в корпусе TO-92, выдерживает до 40V коллекторного напряжения, до 0.8A коллекторного тока и рассеивает до 0.625 Вт мощности, являясь высокочастотным усилительным прибором

. 

S8550D имеет более высокий коэффициент усиления (160–300), в то время как S8550 — это общая серия, включающая группы B (85–160) и C (120–200). Оба PNP-транзистора имеют одинаковые характеристики (25V, 0.5A)

Основные характеристики S8550D:

• Структура: p-n-p ( PNP).
• Тип: Биполярный.
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 40 В.
• Макс. ток коллектора (Ic): 0.8 А (800 мА).
• Рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 0.625 Вт.
• Тип корпуса: TO-92 (пластмассовый).
• Применение: Усилительные схемы, электронные ключи, комплементарная пара к S8050.
• Класс: Усилительный, высокочастотный (часто 150-200 МГц). 

Что означают эти параметры:

• PNP: Тип проводимости, где электроны движутся от эмиттера к коллектору при положительном напряжении на базе относительно эмиттера.
• 40В: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор может выдержать без пробоя.
• 0.8A: Максимальный ток, который он может коммутировать или усиливать.
• 0.625Вт: Максимальное количество тепла, которое он может рассеять.
• TO-92: Маленький пластиковый корпус с тремя выводами (база, коллектор, эмиттер).
• Комплементарная пара к S8050: Часто используется вместе с транзистором S8050 (NPN), формируя двухтактные усилители