Транзистор IRLL024N

Транзистор MOSFET. P-N-P переход.

Фото НЕ из интернета!

Номер партии может отличаться от указанного на фото. Зависит от поставки. Но это никак не влияет на качество товара.

Краткие характеристики:

55V 3.1A 65mΩ 2.1W 510pF 58nS

Описание:

Технологии пятого поколения позволяют добиться чрезвычайно низкого сопротивления включению на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые МОП-транзисторы HEXFET, обеспечивает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных областях применения. Корпус SOT-223 предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парофазной, инфракрасной или волновой пайки. Его уникальная конструкция позволяет легко производить автоматический монтаж, как и в случае с другими корпусами SOT или SOIC, но имеет дополнительное преимущество в том, что улучшенные тепловые характеристики благодаря увеличенному выступу для отвода тепла. При обычном поверхностном монтаже возможно рассеивание мощности в 1,0 Вт.