Транзистор DG301

Транзистор IGBT DG301 SMD

Корпус D2PAK (TO263)

Основные характеристики:

• Тип: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-канального типа.
• Корпус: D2PAK (TO-263) — SMD-корпус для поверхностного монтажа с металлической теплоотводящей площадкой на задней стороне.
• Материал: Кремний.

Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings) при Tc = 25°C:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В.
• Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В.
• Постоянный ток коллектора (IC): 8 А (при Tc = 100°C).
  • Пиковый ток коллектора (ICM): 16 А.
• Максимальная мощность рассеяния (PD): 50 Вт.
• Диапазон рабочих температур перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C.
• Диапазон температур хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C.

Основные рабочие и статические характеристики при Tj = 25°C (если не указано иное):

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • Максимальное: 2.2 В (при IC = 8 А, VGE = 15 В).
  • Типовое: 1.8 В.
• Пороговое напряжение затвор-эмиттер (VGE(th)):
  • Диапазон: от 4.0 В до 6.0 В (при VCE = 10 В, IC = 250 мА).
• Входная ёмкость (Cies): 1000 пФ (типовое, при VCE = 10 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц).
• Выходная ёмкость (Coes): 60 пФ (типовое, при VCE = 10 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц).
• Проходная ёмкость (Cres): 25 пФ (типовое, при VCE = 10 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц).

Динамические (переключательные) характеристики (при VCC = 300 В, IC = 8 А, VGE = ±15 В, RG = 25 Ом):

• Общий заряд затвора (Qg): 25 нКл (типовое).
• Заряд затвора-эмиттера (Qge): 10 нКл (типовое).
• Заряд затвора-коллектора (Qgc): 6 нКл (типовое).
• Время задержки включения (td(on)): 40 нс (типовое).
• Время нарастания (tr): 40 нс (типовое).
• Время задержки выключения (td(off)): 200 нс (типовое).
• Время спада (tf): 60 нс (типовое).

Внутренние элементы:

• Интегрированный обратный диод: Между коллектором и эмиттером присутствует встроенный быстрый диод (антипараллельный диод или FWD).
  • Максимальный непрерывный прямой ток диода (IF): 8 А.
  • Прямое напряжение диода (VF): 2.0 В (максимальное, при IF = 8 А, Tj = 25°C).

Область безопасной работы (RBSOA):

• Задана для одиночных импульсов и ограничивает комбинации тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер в момент выключения для предотвращения лавинного пробоя.

Основные области применения: Транзистор является среднечастотным ключевым прибором, сочетающим преимущества MOSFET (управление по напряжению) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии). Основное применение:

• Инверторы и преобразователи для управления электродвигателями (например, в бытовой технике, промышленных приводах малой мощности).
• Импульсные источники питания (SMPS) средней мощности, особенно в полумостовых и мостовых топологиях.
• Системы зажигания и индукционного нагрева.
• Сварочное оборудование. Корпус D2PAK требует качественного теплоотвода через печатную плату (использование полигонов и тепловых переходов) или внешнего радиатора. Для управления необходим драйвер, обеспечивающий достаточный пиковый ток для быстрой зарядки/разрядки ёмкости затвора.