TK6A60D транзистор

Silicon N Channel MOS Type,Vdss=600V, Id=6A, Pd=40W, Rds(on)=1,0 Ohm, trr=1200ns

Наименование прибора: TK6A60D

Маркировка: K6A60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS