TK30A06J3A транзистор

MOSFET N-Channel, Vdss=60V, Id=30A, Pd=25W, Rds(on)=19 mOhm

Наименование прибора: TK30A06J3A

Маркировка: K30A06J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj - Максимальная температура канала: 150 °C

Qg - Общий заряд затвора: 36 nC

tr - Время нарастания: 4 ns

Coss - Выходная емкость: 230 pf

Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS