Технические параметры
Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 125
Корпус TO-247
Вес, г 7.5
TIP147— это мощный кремниевый биполярный транзистор со структурой PNP, выполненный по схеме Дарлингтона (составной транзистор).
Описание и характеристики
- Тип: Составной (Дарлингтон) PNP.
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер : 100 В.
- Максимальный ток коллектора : 10 А.
- Мощность рассеивания : 125 Вт.
- Коэффициент усиления по току : очень высокий, минимум 1000.
- Особенности: Внутри кристалла встроены защитный диод между коллектором и эмиттером, а также шунтирующие резисторы в цепях база-эмиттер.
- Корпус: Обычно TO-247 или TO-218.
Применение
Благодаря высокому коэффициенту усиления и способности коммутировать большие токи, TIP147 используется в:
- Выходных каскадах мощных аудиоусилителей.
- Схемах управления электродвигателями.
- Мощных линейных и импульсных регуляторах напряжения.
- Промышленных ключевых схемах.
Как проверить
Проверка TIP147 отличается от обычных транзисторов из-за встроенных резисторов и диода. Используйте мультиметр в режиме проверки диодов:
- Цоколевка (вид спереди): 1 — База (B), 2 — Коллектор (C), 3 — Эмиттер (E).
- Переходы Б-К и Б-Э:
- Приложите черный (отрицательный) щуп к базе (1), а красный — по очереди к коллектору (2) и эмиттеру (3). Мультиметр должен показать падение напряжения (обычно 0.6–1.2 В).
- При смене полярности (красный на базе) прибор должен показывать бесконечность (OL). Внимание: из-за встроенного резистора Б-Э может прозваниваться в обе стороны с сопротивлением в несколько сотен Ом.
- Переход К-Э:
- Красный щуп на коллектор (2), черный на эмиттер (3) — должен быть обрыв (OL).
- Черный щуп на коллектор (2), красный на эмиттер (3) — прибор покажет падение напряжения встроенного защитного диода (~0.5–0.7 В).
Если между любыми выводами наблюдается короткое замыкание (0 В или звуковой сигнал), транзистор пробит.