STD12N50M2 транзистор

N-channel Mdmesh Power MOSFET, Vdss=500V, Id=10A, Rds(on)=0,38 Ohm, Ptot=85W

Наименование прибора: STD12N50M2

Маркировка: 12N50M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15 nC

Время нарастания (tr): 10.5 ns

Выходная емкость (Cd): 33 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm

Тип корпуса: DPAK