RSS065N06 транзистор

Silicon N-Channel Power MOSFET, Vdss=60V, Id=6,5A, Pd=2W, Rds(on)=37 mOhm, (Built-in G-S Protection Diode)

Наименование прибора: RSS065N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 21 nC

Время нарастания (tr): 150 ns

Выходная емкость (Cd): 90 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO8