RSS060P05 транзистор

Silicon P-Channel Power MOSFET, Vdss=45V, Id=6,0A, Pd=2W, Rds(on)=26 mOhm, (Built-in G-S Protection Diode)

Наименование прибора: RSS060P05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 28 ns

Выходная емкость (Cd): 360 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOP-8