RJK5010 транзистор

N-channel MOSFET High Speed Power Switching, Vdss=500V, Id=20A, Pd=178W, Rds(on)=0,118 Ohm

Функция: 20 А, 500 В, 178 Вт, N-канальный МОП-транзистор Посылка: Тип TO-3P Производитель: Панасоник, Ренесас.

Описание Мощные полевые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.

Функции 1. Динамический рейтинг dV/dt 2. Повторяющийся лавинный рейтинг 3. Изолированное центральное монтажное отверстие 4. Быстрое переключение 5. Простота распараллеливания 6. Простые требования к диску МОП-транзистор RJK5010 Абсолютные максимальные значения (Ta=25°C) 1. Напряжение сток-исток: 500 В 2. Непрерывный ток стока: 20 А 3. Макс. Рабочая температура перехода: Tj = 150°C 4. Температура хранения: Tstg = -55 ~ 150°C

Function : 20A, 500V, 178W, N-Channel MOSFET

Package : TO-3P Type

Manufactureres : Panasonic, Renesas

Description

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Features

1. Dynamic dV/dt Rating

2. Repetitive Avalanche Rated

3. Isolated Central Mounting Hole

4. Fast Switching

5. Ease of Paralleling

6. Simple Drive Requirements

RJK5010 mosfet transistor

Absolute maxmum ratings ( Ta=25°C )

1. Drain-Source Voltage : 500 V

2. Drain Current-Continuous : 20 A

3. Max. Operating Junction Temperature : Tj = 150°C

4. Storage Temperature : Tstg = -55 ~ 150°C