П416 транзистор

П416 Транзисторы П416 германиевые сплавные p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой. Тип корпуса: КТЮ-3-4. Масса транзистора не более 2,2 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП». Технические условия:   - приемка «1» ЩБ3.365.003ТУ;   - приемка «5» ЩП3.365.001ТУ. Зарубежный аналог: 2N602, 2N603, SFT319, SFT320. Основные технические характеристики транзистора П416: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 40 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 25... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом.