P2806HV транзистор

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET, Vdss=60V. Id=6A, Pd=2W, Rds(on)=28 mOhm

Наименование прибора: P2806HV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 154 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8