P1504BDG транзистор

N-channel Logic Level Enhancement Mode FET, Vdss=40V, Id=40A, Pd=42W, Rds(on)=15 mOhm

Наименование прибора: P1504BDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 10.8 ns

Выходная емкость (Cd): 255 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252