IRLB3034PBF транзистор

HEXFET N-Channel Logic Level Power MOSFET, Id=195A, Vds=40V, Rds(on)=1,4 mOhm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=375W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

Наименование прибора: IRLB3034PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 195 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 162 nC

Время нарастания (tr): 827 ns

Выходная емкость (Cd): 1980 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO220AB