IRF540N транзистор

N Channel, Id=33A, Vds=100V, Rds(on)=0.044ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=130mW, корпусTO-220AB-3, t-175°C

Наименование прибора: IRF540N   

Тип транзистора: MOSFET   Полярность: N   

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W   

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V   

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V   

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V  

 Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A   

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C   

Общий заряд затвора (Qg): 71(max) nC   

Время нарастания (tr): 35 ns   

Выходная емкость (Cd): 250 pf   

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm   

Тип корпуса: TO220AB