FQPF4N90C транзистор

N-канальный QFET MOSFET, Vdss=900 В, Id=4 А, Rds(on)=4,2 Ом, Pd=47 Вт

FQPF4N90C ОНСЕМИ

Транзистор: N-МОП-транзистор; однополярный; 900В; 2,3А; 47 Вт; ТО220ФП

Полярность транзистора: N-канал

Идентификатор постоянного тока стока: 4А

Напряжение источника стока Vds: 900 В

Сопротивление Rds (вкл.): 3,5 Ом

Rds(on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В

Монтаж транзистора: Сквозное отверстие

Пороговое напряжение Vgs: 5 В

Рассеиваемая мощность Pd: 47 Вт

Тип корпуса транзистора: TO-220F

Транзистор FQPF4N90C — это высоковольтный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), который относится к классу N-МОП-транзисторов. Он предназначен для использования в качестве ключа или усилителя и способен выдерживать до 900 Вольт между стоком и истоком, а также пропускать ток до 4 Ампер при температуре 25°C. Транзистор имеет корпус TO-220FP и маркировку N-CH, что означает N-канал. 

Основные характеристики FQPF4N90C: 

• Тип: Полевой транзистор (MOSFET).
• Структура: N-канал.
• Максимальное напряжение сток-исток: 900 В.
• Максимальный ток сток-исток (при 25°C): 4 А.
• Корпус: TO-220FP.
• Маркировка: N-CH.

Принцип работы:

Как и другие MOSFET-транзисторы, FQPF4N90C управляет током в канале между истоком и стоком при помощи электрического поля, создаваемого напряжением на затворе. Он изменяет проводимость канала, что позволяет использовать его для усиления или переключения электронных сигналов.