FQA20N60 транзистор

QFET N-Channel MOSFET, Vdss=600V, Id=19,5A, Pd=200W, Rds(on)=0,22 Ohm

Описание

FQA20N60 N-канальный МОП-транзистор, 20 А, 600 В, 3-контактный TO-3PN

Fairchild Semiconductors новый QFET? В планарных полевых МОП-транзисторах используется передовая запатентованная технология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого спектра приложений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и управления движением.

Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)), а также снижение потерь при переключении за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя усовершенствованный QFET? Технология Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими планарными MOSFET-устройствами.

Технические характеристики:

Значение атрибута

Тип канала N

Максимальный непрерывный ток стока – непрерывный TC=25°C 19,5 А

– непрерывная ТК=100°С 12,3

Максимальное напряжение источника стока 600 В

Тип упаковки ТО-3ПН

Тип крепления Сквозное отверстие

Количество выводов 3

Максимальное сопротивление источника стока 70 м?

Улучшение режима канала

Минимальное пороговое напряжение затвора 3 В

Максимальная рассеиваемая мощность 200 Вт

Конфигурация транзистора одиночная

Максимальное напряжение источника затвора -30 В, +30 В

Количество элементов на чип 1

Ширина 5 мм

Максимальная рабочая температура +150 ?C

Длина 15,8 мм

Материал транзистора Si

Типичный заряд затвора при Vgs 85 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура -55 ?C

Высота 18,9 мм

Серия QFET

В коплект входит:

1x МОП-транзистор FQA20N60