FDC642P транзистор

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET, Vds=20V, Id=4A, Pd=1,6W, Rds(on)=65 mOhm

Наименование прибора: FDC642P

Маркировка: .642'

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 11 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 110 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: SSOT6