FDA50N50 транзистор

N-Channel MOSFET, Id=48A, Vds= 500V, Rds(on) = 0.105 Ohm VGS = 10 V. • Low gate charge ( typical 105 nC)

Наименование прибора: FDA50N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 625 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 105 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO3PN