AP4525GEM транзистор

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, Vds=40V,N-channel: Id=6A,Rds(on)=28 mOhm, P-channel;Id=5A, (on)=42 mOhm, Pd=2W

Наименование прибора: AP4525GEM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO8