AP40N03GP транзистор

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,Vds=30V,Id=40A,Pd=50W,Rds(on)=17 mOhm

Наименование прибора: AP40N03GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 60 ns

Выходная емкость (Cd): 380 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO220

Транзистор

AP40N03GP — это N-канальный силовой MOSFET (металл-оксидный-полупроводниковый полевой транзистор) с режимом обогащения от производителя Advanced Power Electronics (APEC). Он разработан для высокоэффективных схем с низковольтным питанием. 

Характеристики 

• Тип транзистора: MOSFET
• Тип канала: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток : 30 В
• Максимальный ток стока : 40 А
• Максимальная рассеиваемая мощность : 50 Вт
• Сопротивление открытого канала : 17 мОм
• Напряжение отсечки затвор-исток : 3 В
• Корпус: TO-220
• Особенности:
  • Низкий заряд затвора: облегчает управление транзистором.
  • Высокая скорость переключения: позволяет использовать транзистор в высокочастотных схемах.
  • Низкое сопротивление открытого канала: минимизирует потери мощности. 

Применение 

AP40N03GP подходит для силовых приложений, где требуется эффективное управление мощностью. Типичные области применения включают: 

• Преобразователи постоянного тока (DC-DC): использование в качестве коммутирующего элемента для повышения эффективности преобразования.
• Высокоэффективные переключающие схемы: подходит для применения в силовых блоках, где важна скорость переключения.
• Схемы управления двигателями: управление скоростью и направлением вращения электродвигателей.
• Блоки питания: использование в качестве ключевого элемента в импульсных источниках питания.
• Автомобильная электроника: управление силовыми нагрузками в автомобильных системах