2SK2996 транзистор

Silicon N Channel MOS Type, Vds=600V, Id=10A, Pd=45W, Rds(on)=0,74 Ohm

Наименование прибора: 2SK2996

Маркировка: K2996

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V

|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj - Максимальная температура канала: 150 °C

Qg - Общий заряд затвора: 38 nC

tr - Время нарастания: 15 ns

Coss - Выходная емкость: 140 pf

Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220NIS