Транзистор TT2144

Транзистор TT2144

Корпус TO220F

Основные статические характеристики

• Тип проводимости: NPN.
• Материал: Кремний.
• Назначение: Усиление мощности высокой частоты в специализированных высоковольтных схемах.
• Структура: Монокристаллическая планарная структура, рассчитанная на высокие обратные напряжения.

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings)

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): +1500 В.
• Напряжение коллектор-база (VCBO): +1700 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): +6 В.
• Коллекторный ток (IC):
  • Непрерывный: +8 А.
  • Импульсный: +15 А.
• Рассеиваемая мощность коллектора (PC):
  • При температуре корпуса (TC) = 25°C: 50 Вт.
  • *Мощность линейно снижается с ростом температуры корпуса выше +25°C.*
• Диапазон температуры перехода (Tj): от -55°C до +150°C.

Электрические характеристики (при TC = 25°C, если не указано иное)

Характеристики в режиме отсечки и пробоя

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CEO): Минимум +1500 В (при IC = 10 мА, IB = 0).
• Обратный ток коллектора (ICBO): Не более +1.0 мА (при VCB = +1500 В, IE = 0, Tj = 100°C).
• Обратный ток эмиттера (IEBO): Не более +10 мкА (при VEB = +6 В, IC = 0).

Характеристики в режиме насыщения и усиления

• Статический коэффициент передачи тока (hFE):
  • При VCE = 5 В, IC = 2.0 А: от 8 до 40.
  • При VCE = 5 В, IC = 4.0 А: от 6 до 30.
  • (Характерен низкий и строго нормированный диапазон коэффициента усиления).
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • Максимальное: +2.0 В (при IC = 4.0 А, IB = 0.4 А).
  • Типовое: +0.8 В.
• Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)):
  • Максимум: +2.0 В (при IC = 4.0 А, IB = 0.4 А).
  • Типовое: +1.5 В.

Динамические характеристики

• Время переключения:
  • Время задержки включения (td): 0.2 мкс (макс., при IC = 4.0 А, IB1 = 1.0 А, IB2 = -1.0 А).
  • Время нарастания (tr): 0.1 мкс (макс., при тех же условиях).
  • Время рассасывания (ts): 1.5 мкс (макс., при тех же условиях).
  • Время спада (tf): 0.1 мкс (макс., при тех же условиях).
• Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): Минимум 6 МГц (при VCE = 10 В, IC = 0.5 А, f = 10 МГц).
• Выходная емкость (Cob): Типовое 25 пФ (при VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц).

Тепловые параметры

• Тепловое сопротивление:
  • Переход-корпус (Rth(j-c)): Максимум 2.5 °C/Вт.
  • *Изолированная монтажная пластина корпуса TO-220F позволяет крепить его на общий радиатор без дополнительной изоляции.*

Рекомендации для стабильной и надежной работы

• Специализированное применение: Транзистор оптимизирован для работы в качестве строчного выходного каскада (Horizontal Deflection Output) в мониторах и телевизорах. Его параметры рассчитаны на работу с индуктивной нагрузкой (строчный трансформатор, отклоняющая система) на частотах кадровой и строчной развертки.
• Управление базой (критический фактор): Для надежного насыщения и, что более важно, быстрого выключения при таких высоких напряжениях необходим мощный драйвер. Цепь управления должна обеспечивать:
  • Положительный базовый ток, достаточный для насыщения при пиковом коллекторном токе (с учетом минимального hFE).
  • Значительный отрицательный ток оттяжки базы для быстрого удаления накопленного заряда и сокращения времени рассасывания (ts). Обычно применяется схема с конденсатором ускорения или трансформаторный драйвер.
• Теплоотвод: Работа на высоких напряжениях и токах приводит к значительному выделению тепла даже при низкой частоте. Обязательна установка на радиатор соответствующей площади. Использование изолированного корпуса упрощает монтаж.
• Защита от вторичного пробоя и выбросов напряжения: При коммутации индуктивной нагрузки возникают опасные выбросы напряжения. Обязательно использование внешних защитных цепей:
  • Снабберная цепь (Snubber): Обычно RCD-цепь, подключенная параллельно коллектору, для ограничения пиков напряжения.
  • Демпферный (обратный) диод (Damper Diode): Высоковольтный быстрый диод, подключаемый между коллектором и эмиттером (или шиной питания) для замыкания обратной ЭДС.
  • Рабочая точка должна всегда оставаться в пределах зоны безопасной работы при включении (RBSOA).
• Монтаж: Для минимизации паразитных индуктивностей, вызывающих дополнительные выбросы, выводы коллектора и эмиттера должны быть максимально короткими, а соединения с внешними элементами (снаббер, демпферный диод) – минимальной длины.