Транзистор TT2046

Транзистор биполярный TT2046

Корпус TO220FM

Основные статические характеристики

• Тип проводимости: NPN.
• Материал: Кремний.
• Назначение: Усиление мощности высокой частоты в специализированных высоковольтных схемах.
• Особенность: Конструкция, обеспечивающая высокую устойчивость к напряжению и импульсным нагрузкам.

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings)

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): +1500 В.
• Напряжение коллектор-база (VCBO): +1700 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): +6 В.
• Коллекторный ток (IC):
  • Непрерывный: +8 А.
  • Импульсный: +12 А.
• Рассеиваемая мощность коллектора (PC):
  • При температуре корпуса (TC) = 25°C: 80 Вт.
  • *Мощность линейно снижается с ростом температуры корпуса выше +25°C.*
• Диапазон температуры перехода (Tj): от -55°C до +150°C.

Электрические характеристики (при TC = 25°C, если не указано иное)

Характеристики в режиме отсечки и пробоя

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CEO): Минимум +1500 В (при IC = 10 мА, IB = 0).
• Обратный ток коллектора (ICBO): Не более +0.5 мА (при VCB = +1500 В, IE = 0, Tj = 100°C).
• Обратный ток эмиттера (IEBO): Не более +10 мкА (при VEB = +6 В, IC = 0).

Характеристики в режиме насыщения и усиления

• Статический коэффициент передачи тока (hFE):
  • При VCE = 5 В, IC = 3 А: от 8 до 25.
  • При VCE = 5 В, IC = 5 А: от 6 до 20.
  • (Низкий, гарантированно предсказуемый диапазон, характерный для транзисторов данного класса напряжения).
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • Максимальное: +2.5 В (при IC = 5 А, IB = 1 А).
  • Типовое: +1.5 В.
• Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)):
  • Максимум: +2.5 В (при IC = 5 А, IB = 1 А).
  • Типовое: +1.8 В.

Динамические характеристики

• Время переключения:
  • Время задержки включения (td): 0.3 мкс (макс., при IC = 5 А, IB1 = 1 А, IB2 = -1 А).
  • Время нарастания (tr): 0.15 мкс (макс., при тех же условиях).
  • Время рассасывания (ts): 2.0 мкс (макс., при тех же условиях).
  • Время спада (tf): 0.1 мкс (макс., при тех же условиях).
• Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): Минимум 4 МГц (при VCE = 10 В, IC = 0.5 А, f = 10 МГц).
• Выходная емкость (Cob): Типовое 20 пФ (при VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц).

Тепловые параметры

• Тепловое сопротивление:
  • Переход-корпус (Rth(j-c)): Максимум 1.56 °C/Вт.
  • *Модификация корпуса TO-220FM имеет полностью изолированную металлическую пластину, не имеющую электрического контакта с выводами транзистора.*

Рекомендации для стабильной и надежной работы

• Специализированное применение: Транзистор предназначен для работы в качестве строчного выходного транзистора (Horizontal Output Transistor - HOT) в телевизорах и мониторах с большой диагональю, а также в других высоковольтных инверторах. Его параметры оптимизированы для коммутации индуктивной нагрузки на частотах строчной развертки (15-64 кГц).
• Требования к драйверу (критически важны): Низкий коэффициент hFE и необходимость быстрого отключения диктуют жесткие требования к цепи управления:
  • Драйвер должен обеспечивать большой импульсный ток базы для включения (IB1), рассчитанный по минимальному hFE.
  • Обязательным является формирование мощного отрицательного тока базы (IB2) для принудительного и быстрого рассасывания заряда. Без этого время рассасывания (ts) резко возрастает, что ведет к перегреву и выходу из строя.
  • Типовая схема драйвера — трансформаторная или с конденсатором ускорения.
• Теплоотвод: Обязательна установка на радиатор значительной площади. Корпус TO-220FM позволяет монтировать транзистор непосредственно на общий радиатор (например, шасси) без изолирующей прокладки, так как пластина изолирована. Это обеспечивает минимальное тепловое сопротивление.
• Защитные и снабберные цепи (обязательны):
  • RCD-снаббер: Для ограничения выбросов напряжения на коллекторе, возникающих из-за индуктивности рассеяния строчного трансформатора.
  • Демпферный диод (Damper Diode): Быстрый высоковольтный диод, включенный между коллектором и эмиттером (или шиной) для замыкания обратной ЭДС.
  • Работа должна строго соответствовать зоне безопасной работы при включении (RBSOA).
• Монтаж: Все силовые соединения (коллектор, эмиттер, снаббер, демпферный диод) должны быть выполнены максимально короткими проводниками или дорожками печатной платы для минимизации паразитных индуктивностей. Плата должна быть рассчитана на высокие напряжения (увеличены зазоры).