Транзистор TK8A65D

Транзистор MOS-FET TK8A65D

Корпус TO220F

Общие сведения о компоненте

• Тип транзистора: N-канальный силовой MOSFET (N-Channel Power MOSFET).
• Технология: π‑MOSⅦ.
• Корпус: TO-220F (также обозначается как TO-220SIS, TO-220IS, TO‑220‑3 Full Pack).
  • Буква “F” в обозначении корпуса означает изолированную версию (Full‑Pack), то есть теплоотводящий фланец не соединён с выводами электрически.
• Тип монтажа: Сквозной монтаж в отверстия на плате (Through‑Hole / THT).
• Статус компонента: Активный (Active), в производстве.

Максимальные и предельные значения (Absolute Maximum Ratings)

• Напряжение сток-исток (V_DSS): 650 В.
• Напряжение затвор-исток (V_GSS): ±30 В.
• Максимальный постоянный ток стока (I_D):
  • 8 А при температуре корпуса 25°C.
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D):
  • 45 Вт (при T_C = 25°C).
• Диапазон рабочих температур перехода (T_J): от -55°C до +150°C.
• Температура хранения (T_stg): от -55°C до +150°C.

Статические электрические характеристики (Static Characteristics)

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • Типовое: 0.7 Ом.
  • Максимальное: 0.84 Ом (840 мОм) при V_GS = 10 В, I_D = 4 А.
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)):
  • Минимальное: 2.0 В (при I_D = 1 мА, V_GS = V_DS).
  • Максимальное: 4.0 В (при I_D = 1 мА, V_GS = V_DS).
• Крутизна характеристики (Y_fs / g_fs): 4.5 См (тип.).
• Ток утечки сток-исток (I_DSS): 10 мкА (макс.) при V_DS = 650 В, T_C = 25°C.
• Ток утечки затвор-исток (I_GSS): ±100 нА (макс.) при V_GS = ±30 В.
• Прямое напряжение диода (V_SD): 1.7 В (тип.) при I_S = 8 А, V_GS = 0 В.

Динамические и емкостные характеристики (Dynamic / Capacitive)

• Входная ёмкость (C_iss): 1350 пФ (тип.) при V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц.
• Выходная ёмкость (C_oss): 135 пФ (тип.) при V_DS = 25 В.
• Проходная ёмкость (C_rss): 6 пФ (тип.) при V_DS = 25 В.
• Общий заряд затвора (Q_g): 25 нКл (тип.) при V_GS = 10 В, V_DD = 325 В.
• Заряд затвор-исток (Q_gs): 4.5 нКл (тип.) при V_GS = 10 В.
• Заряд затвор-сток (Q_gd): 11 нКл (тип.) при V_GS = 10 В.

Переключательные характеристики (Switching Characteristics)

• Время задержки включения (t_d(on)): 25 нс (тип.) при V_DD = 325 В, I_D = 8 А, V_GS = 10 В, R_G = 25 Ом.
• Время нарастания (t_r): 10 нс (тип.) при тех же условиях.
• Время задержки выключения (t_d(off)): 35 нс (тип.) при тех же условиях.
• Время спада (t_f): 15 нс (тип.) при тех же условиях.

Тепловые и механические параметры

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_θJC): 2.78 °C/Вт (макс.).
• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (R_θJA): 62.5 °C/Вт (макс.).

Основные особенности

• Изолированный корпус TO-220F (TO-220SIS): Упрощает монтаж на радиатор без использования изолирующих прокладок, повышая надёжность. Это ключевое отличие от версии в корпусе TO-220 с металлическим фланцем.
• Низкое сопротивление канала (R_DS(on)): Типовое значение 0.7 Ом при V_GS = 10 В обеспечивает малые потери проводимости.
• Быстрое переключение: Низкие значения входной ёмкости (C_iss) и заряда затвора (Q_g) позволяют использовать компонент на высоких частотах.
• Высокая устойчивость в лавинном режиме: 100% тестирование на лавинный пробой (Avalanche tested) гарантирует надёжную работу в тяжёлых режимах коммутации.
• Технология π-MOSVII: Обеспечивает сбалансированные параметры проводимости и коммутации для широкого круга применений.
• Применение: Специализирован для использования в качестве ключа в импульсных источниках питания (Switching Regulator Applications).