Транзистор MOSFET TK4A60D
Корпус TO220F
Основные параметры
- Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET
- Серия: π-MOSVII
- Корпус: TO-220SIS (также обозначается как TO-220F, TO-220-3 Full Pack, SC-67)
- Монтаж: Сквозной (Through Hole)
- Количество выводов: 3
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 4 А (при TC = 25°C)
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 1.7 Ом (макс.)
- Рассеиваемая мощность (PD): 35 Вт (при TC = 25°C)
- Заряд затвора (Qg): 12 нКл (при VGS = 10 В)
- Входная ёмкость (Ciss): 600 пФ (при VDS = 25 В)
- Напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 4.4 В (при ID = 1 мА)
- Напряжение драйвера: 10 В
- Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C
Цоколевка (распиновка) для TO-220SIS
Вид на маркированную сторону корпуса, выводы вниз:
- Затвор (Gate)
- Сток (Drain)
- Исток (Source)
Особенности и преимущества
- Технология π-MOSVII: Обеспечивает отличные частотные и переключающие характеристики, а также высокую надежность.
- Изолированный корпус TO-220SIS: Упрощает монтаж на радиатор, так как не требует дополнительной изоляционной прокладки.
- Низкое входное сопротивление и низкая мощность управления.
- Отсутствие эффекта накопления заряда: Обеспечивает высокое быстродействие.
Область применения
- Импульсные источники питания (SMPS)
- DC/DC-преобразователи
- Управление двигателями (Motor drive)
- Силовые ключи (Power switch) и драйверы соленоидов (Solenoid drive)