Транзистор MOS-FET STF13N60DM2
Корпус TO220F
- Тип транзистора: N-канальный силовой MOSFET (N-Channel Power MOSFET).
- Технология: MDmesh DM2 — серия с быстровосстанавливающимся встроенным диодом (Fast-recovery body diode), оптимизированная для высокоэффективных преобразователей и мостовых топологий.
- Корпус: TO-220FP (TO-220 Fullpack) — полностью изолированный пластиковый корпус для сквозного монтажа.
- Тип монтажа: Сквозной монтаж в отверстия на плате (Through-Hole).
Максимальные и предельные значения (Absolute Maximum Ratings)
- Напряжение сток-исток (V_DS): 600 В.
- Напряжение затвор-исток (V_GS): ±25 В.
- Максимальный постоянный ток стока (I_D):
- 11 А при T_case = 25°C.
- 7 А при T_case = 100°C.
- Максимальный импульсный ток стока (I_DM): 44 А.
- Максимальная рассеиваемая мощность (P_TOT): 25 Вт при T_case = 25°C.
- Напряжение изоляции (V_ISO): 2500 В (RMS) от всех выводов до радиатора.
- Диапазон рабочих температур перехода (T_J): от -55°C до +150°C.
- Температура хранения (T_stg): от -55°C до +150°C.
Статические электрические характеристики (Static Characteristics)
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
- Типовое: 0.310 Ом (310 мОм) при V_GS = 10 В.
- Максимальное: 0.365 Ом (365 мОм) при V_GS = 10 В, I_D = 5.5 А.
- Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)):
- Максимальное: 5 В при I_D = 250 мкА.
- Типовое: 3 В.
Динамические и емкостные характеристики (Dynamic / Capacitive)
- Общий заряд затвора (Q_g): 19 нКл (макс.) при V_GS = 10 В.
- Входная ёмкость (C_iss): 730 пФ (макс.) при V_DS = 100 В.
- Выходная ёмкость (C_oss): Данные в найденных источниках не указаны.
- Проходная ёмкость (C_rss): 0.9 пФ (макс.).
- Время задержки включения (t_d(on)): 12.3 нс (тип.).
- Время нарастания (t_r): 4.8 нс (тип.).
- Время задержки выключения (t_d(off)): 42.5 нс (тип.).
- Время спада (t_f): 10.6 нс (тип.).
Тепловые и механические параметры
- Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 5 °C/Вт (макс.).
- Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (R_thJA): 62.5 °C/Вт (макс.).
Ключевые особенности и применение
- Основные особенности:
- Быстровосстанавливающийся встроенный диод (Fast-recovery body diode): Ключевая особенность серии MDmesh DM2, делающая этот транзистор идеальным для мостовых топологий и фазосдвигающих ZVS-преобразователей.
- Низкое сопротивление канала (R_DS(on)): Типовое значение 0.310 Ом обеспечивает малые потери проводимости.
- Низкий заряд затвора и входная ёмкость: Обеспечивает высокую эффективность переключения.
- 100% тестирование на лавинный пробой (Avalanche tested) и высокая dv/dt устойчивость: Гарантирует надёжность в тяжёлых режимах коммутации.
- Защита стабилитроном (Zener-protected): Защита затвора от статического электричества.
- Основные области применения:
- Высокоэффективные преобразователи (High-efficiency converters).
- Мостовые топологии и фазосдвигающие ZVS-преобразователи (Bridge topologies and ZVS phase-shift converters).
- Импульсные источники питания (SMPS / Switching applications)