•
Реклама
Код товара: 2484416052
Транзистор STD5NE10-1 #1

Транзистор STD5NE10-1

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
100
Количество в упаковке, шт
1
Товар закончился
162 ₽ 
Нет в наличии
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
11.3 K
О магазине

Описание

Транзистор MOS-FET STD5NE10-1

I-PAK (TO251AA)

  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET.
  • Технология: MDmesh K5. Оптимизирована для высокочастотных и высокоэффективных применений.
  • Назначение: Импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, схемы управления двигателями, повышающие/понижающие стабилизаторы.
  • Сток-исток напряжение (Vdss): 100 В.
  • Постоянный ток стока (Id) при Tc=25°C: 9.5 А.
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): макс. 0.035 Ом (при Vgs=10 В, Id=5 А) — очень низкое значение, минимизирующее потери на проводимость.
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): от 2.0 до 4.0 В.
  • Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ± 20 В.
  • Общий заряд затвора (Qg): макс. 22 нКл (при Vgs=10 В) — важно для расчета параметров драйвера.
  • Время включения (tr): 12 нс (тип.)
  • Время выключения (tf): 20 нс (тип.)
  • Рассеиваемая мощность (Ptot) при Tc=25°C: 40 Вт (только с радиатором!).
  • Температурные параметры:
    • Максимальная температура перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C.
    • Температура хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C.
  • Внутренние диоды:
    • Интегрированный обратный диод: Есть.
    • Сток-исток напряжение диода: 100 В.
    • Непрерывный прямой ток диода (Is): 9.5 А.
    • Время восстановления диода (trr): 110 нс (тип.).
Ключевые особенности и применение:
  • Низкое сопротивление Rds(on) (0.035 Ом): Обеспечивает высокий КПД в мощных преобразователях.
  • Высокий ток стока (9.5 А): Позволяет работать с большими нагрузками.
  • Технология MDmesh K5: Обеспечивает низкие коммутационные потери и высокую помехоустойчивость.
  • Корпус I-PAK (TO-251AA): Компактный корпус с возможностью крепления к радиатору.
Важное примечание: Для рассеивания заявленной мощности 40 Вт необходим эффективный теплоотвод (радиатор). Без радиатора максимальная рассеиваемая мощность не превышает 2 Вт.

Состав комплекта

1 шт. Транзистор STD5NE10-1

Комплектация

1 шт. Транзистор STD5NE10-1

#Транзистор
#mosfet

Характеристики

Артикул
2484416052
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
100
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
14.0x6.0x4.75
Вес товара, г
0.55
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.