Транзистор STD2NB80T4

Транзистор MOS-FET STD2NB80T4

I-PAK (TO251AA)

Электрические и эксплуатационные параметры:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET.
• Технология: SuperMDmesh II. Специальная технология для низких потерь при переключении и высокой эффективности.
• Назначение: Предназначен для импульсных источников питания (PFC, LLC-резонансные преобразователи), ИБП и других мощных switching-схем.
• Сток-исток напряжение (Vdss): 800 В. (Высокое напряжение, характерное для сетевых применений ~220В/380В).
• Постоянный ток стока (Id) при Tc=25°C: 2.2 А.
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): макс. 3.8 Ом (при Vgs=10 В, Id=1.1 А) — ключевой параметр, определяющий conduction losses (потери на проводимость).
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): от 3.0 до 5.0 В.
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ± 30 В (низковольтный управляющий сигнал).
• Общий заряд затвора (Qg): макс. 8.5 нКл (при Vgs=10 В, Id=1.1 А) — важный параметр для расчета драйвера затвора.
• Время включения (tr): 13 нс (тип.)
• Время выключения (tf): 33 нс (тип.)
• Рассеиваемая мощность (Ptot) при Tc=25°C: 31 Вт (только с радиатором!).
• Температурные параметры:
  • Максимальная температура перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C
  • Температура хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C
• Внутренние диоды:
  • Интегрированный обратный диод: Есть.
  • Сток-исток напряжение диода: 800 В.
  • Непрерывный прямой ток диода (Is): 2.2 А.

Ключевые особенности и применение:

• Высокое напряжение 800 В: Позволяет использовать в схемах, работающих от выпрямленного сетевого напряжения (~300В DC после выпрямления 220В AC).
• Технология SuperMDmesh II: Обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии и малые потери при переключении, что критически важно для повышения КПД источника питания.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает требования к драйверу затвора, позволяя использовать недорогие микросхемы-драйверы.

Важное примечание: Параметр "Рассеиваемая мощность 31 Вт достижим ТОЛЬКО при условии идеального монтажа на эффективный внешний радиатор, поддерживающий температуру корпуса на уровне 25°C. Без радиатора транзистор способен рассеять лишь незначительную мощность (~1-2 Вт). Корпус I-PAK (TO-251AA) обязательно требует пайки на печатную плату с теплоотводящей площадкой и/или крепления к радиатору через отверстие во фланце.