Транзистор STB60NF06T4

Транзистор STB60NF06T4

MOS-FET

SMD

Корпус D2PAK (TO263)

VDS (Drain-source voltage): 60 V 

Напряжение между стоком и истоком при нулевом напряжении на затворе (VGS = 0).

 

VDGR (Drain-gate voltage): 60 V 

Напряжение между стоком и затвором при резистивной нагрузке на затворе (RGS = 20 кОм).

 

VGS (Gate-source voltage): ± 20 V 

Напряжение между затвором и истоком, которое может быть как положительным, так и отрицательным.

 

ID (Drain current): 

60 A (при TC = 25°C) 

Максимальный постоянный ток через сток при температуре корпуса 25°C. 

42 A (при TC = 100°C) 

Максимальный постоянный ток через сток при температуре корпуса 100°C.

 

IDM (Drain current, pulsed): 240 A 

Максимальный импульсный ток через сток, ограниченный безопасной рабочей областью (пульсовая ширина).

 

Ptot (Total dissipation): 110 W 

Общая мощность, которую может рассеивать компонент при температуре корпуса 25°C.

 

Derating Factor: 0.73 W/°C 

Коэффициент снижения мощности на каждый градус Цельсия выше 25°C.

 

dv/dt (Peak diode recovery voltage slope): 4 V/ns 

Максимальная скорость изменения напряжения при восстановлении диода (при ISD ≤ 60A, di/dt ≤ 400A/µs, VDD ≤ 24V, Tj ≤ TJMAX).

 

Tstg (Storage temperature): -65 to 175 °C 

Температурный диапазон хранения компонента.

 

Tj (Max. operating junction temperature): 

  Максимальная рабочая температура соединения -65 to 175 °C