•
Реклама
Код товара: 2484416016
Транзистор STB30N03 #1
Постоплата

Транзистор STB30N03

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
16x11x5
Товар закончился
200 ₽ 
Нет в наличии
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
12.5 K
О магазине

Описание

Транзистор MOS-FET STB30N03 SMD

Корпус D2PAK (TO263)

Основные параметры
  • Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET с низким пороговым напряжением (Logic Level).
  • Корпус: D2PAK (TO-263-3) — поверхностный монтаж (SMD).
    • Количество выводов: 3 (Затвор, Сток, Исток).
    • Металлический фланец корпуса электрически соединён со стоком (Drain).
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В.
  • Максимальный постоянный ток стока (ID):
    • 75–80 А (при 25°C, зависит от площади медных полигонов на плате и условий охлаждения).
    • В импульсном режиме (IDM) — значительно выше (обычно в 3–4 раза).
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 6–9 мОм (0.006–0.009 Ом) при VGS = 10 В.
  • Рассеиваемая мощность (PD): до 150 Вт (при установке на радиатор или с эффективным отводом тепла через плату).
  • Заряд затвора (Qg): порядка 30–40 нКл (низкий заряд обеспечивает быстрое переключение).
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В.
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–2 В (типовое для логического уровня).
Особенности и преимущества
  • Логический уровень управления: Может управляться напрямую от микроконтроллеров (3.3 В или 5 В) без дополнительного драйвера.
  • Крайне низкое сопротивление канала: Обеспечивает минимальные потери проводимости, что критично для высокотоковых приложений.
  • Быстрое переключение: Малый заряд затвора позволяет использовать высокие частоты ШИМ.
  • Встроенный диод: Имеет встроенный обратный диод (body diode), но без защитного стабилитрона между затвором и истоком (это стоит проверить для вашей партии).
Область применения
  • Синхронные выпрямители в импульсных блоках питания (SMPS).
  • DC/DC-преобразователи (понижающие, buck-конвертеры).
  • Контроллеры заряда и защита литиевых аккумуляторов (BMS).
  • Управление мощными нагрузками постоянного тока (автомобильная электроника, двигатели, светодиодные драйверы).
  • Замена биполярных транзисторов и диодов Шоттки в ключевых схемах.

Комплектация

1 шт. Транзистор STB30N03

#Транзистор
#mosfet
#STB30N03
#SMD
#D2PAK
#TO263

Характеристики

Артикул
2484416016
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
16x11x5
Вес товара, г
1.5
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Документы качества:
Товар не подлежит обязательной сертификации
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Отзывы о товаре 0 Транзистор STB30N03
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.