Транзистор MOS-FET SPD07N60C3
DPAK (TO252AA)
Общие сведения
- Тип компонента: N-канальный силовой MOSFET
- Серия: CoolMOS C3.
- Корпус: DPAK (TO-252-3, TO-252AA).
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD/SMT).
Максимальные и предельные значения
- Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В.
- Постоянное напряжение сток-исток (V_DS) с учётом пульсаций: 650 В.
- Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В.
- Максимальный постоянный ток стока (I_D): 7.3 А при T_C=25°C.
- Импульсный ток стока (I_D puls): 21.9 А.
- Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 83 Вт.
Статические электрические характеристики
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 540 мОм (0.54 Ом) (тип.). Максимальное значение при V_GS=10 В, I_D=4.6 А: 600 мОм (0.6 Ом).
- Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.9 В (тип.). Максимальное значение: 3 В.
- Ток утечки сток-исток (I_DSS): 1 мкА (макс.) при V_DS=600 В, T_C=25°C.
- Ток утечки затвор-исток (I_GSS): ±100 нА (макс.) при V_GS=±20 В.
- Крутизна характеристики (g_fs): 5.1 См (тип.) при I_D=7.3 А, V_DS=15 В.
Динамические и ёмкостные параметры
- Заряд затвора (Q_g): 21 нКл (тип.) при V_GS=0...10 В.
- Входная ёмкость (C_iss): 790 пФ (тип.).
- Выходная ёмкость (C_oss): 75 пФ (тип.).
- Проходная ёмкость (C_rss): 5.5 пФ (тип.).
- Время задержки включения (t_d(on)): 6 нс (тип.).
- Время нарастания (t_r): 3.5 нс (тип.).
- Время задержки выключения (t_d(off)): 60 нс (тип.).
- Время спада (t_f): 7 нс (тип.).
- Внутреннее сопротивление затвора (R_G): 4.8 Ом (тип.).
Тепловые и механические параметры
- Рабочая температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C.
- Температура хранения (T_stg): от -55°C до +150°C.
- Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 1.5 К/Вт (макс.).
- Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (R_thJA): 75 К/Вт (макс.).
Ключевые особенности и применение
- Основные особенности:
- CoolMOS C3 технология: Новейшая высоковольтная технология. Обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и малые потери переключения.
- Экстремально высокая dV/dt и устойчивость в лавинном режиме: 100% тестирование на устойчивость к лавинному пробою позволяет выдерживать серьёзные электромагнитные нагрузки.
- Высокая эффективность и плотность мощности: Этот транзистор идеально подходит для создания компактных и энергоэффективных импульсных источников питания, благодаря своей высокой эффективности и плотности мощности.
- Улучшенная крутизна: Обеспечивает лучшую управляемость и линейность характеристик.
- Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования и ПК.
- Адаптеры питания: Например, для ноутбуков и другой техники.
- Промышленная, потребительская электроника и управление питанием