Транзистор SPD02N50C3

Транзистор SPD02N50C3

Корпус DPAK (TO252AA)

Предельные и силовые параметры

• Тип устройства: N-канальный MOSFET, технология CoolMOS .
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 500 В (по некоторым спецификациям — 560 В) .
• Максимальный постоянный ток стока (ID):
  • 1.8 А — при температуре корпуса 25°C .
  • Импульсный ток стока (I_D puls): 5.4 А .
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
  • Максимальное значение: 3 Ом при VGS = 10 В и I_D = 1.1 А .
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 25 Вт (при температуре корпуса 25°C) .

Температурные параметры (важно для расчета радиатора)

• Максимальная температура перехода (Tj): +150°C .
• Минимальная рабочая температура (Tj): -55°C .
• Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC): 5.0 °C/Вт (максимальное) .
• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (RthJA): 75 °C/Вт (максимальное) .

Электрические характеристики (динамические и статические)

• Технология: CoolMOS C3 — обеспечивает сверхнизкий заряд затвора, малые емкости и высокую эффективность .
• Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В .
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)):
  • Минимум: 2.1 В .
  • Максимум: 3.9 В при токе 80 мкА .
• Полный заряд затвора (Qg): 9 нКл при VGS = 10 В .
• Входная емкость (Ciss): 190 пФ (при VDS = 25 В) .
• Выходная емкость (Coss): 42 пФ (типовое значение при VDS = 50 В) .
• Энергия лавинного пробоя: 100% тестирование на лавинную стойкость .

Особенности и преимущества

• Очень низкий заряд затвора (Qg) и малые емкости: Обеспечивают высокую скорость переключения и минимальные динамические потери .
• Повышенная эффективность: Низкие потери проводимости и переключения .
• Высокая надежность: Проверенная технология CoolMOS, устойчивость к высоким скоростям нарастания напряжения (extreme dv/dt rated) .
• Полностью лавинно-стойкий: Выдерживает кратковременные перенапряжения .
• "Зеленый" компонент (Green Device): Соответствует современным экологическим стандартам .

Для чего применяется (Области применения)

Благодаря высокому напряжению (500-560 В), малым емкостям и высокой эффективности, этот транзистор идеально подходит для высоковольтных приложений с низким и средним током:

• Импульсные источники питания (SMPS): Используется в первичной цепи высокочастотных блоков питания для компьютеров, телевизоров, зарядных устройств и адаптеров питания .
• Коррекция коэффициента мощности (PFC): В активных корректорах мощности для повышения эффективности преобразования энергии .
• Управление двигателями (Motor Control): В драйверах электродвигателей переменного тока и промышленных приводах .
• DC-DC преобразователи: В высоковольтных преобразователях напряжения .
• Системы возобновляемой энергетики: В инверторах для солнечных батарей .
• Промышленная автоматика: В источниках питания для промышленного оборудования .
• Потребительская электроника: В блоках питания для бытовой техники и устройств связи