•
Реклама
Код товара: 2484416317
Транзистор SI2300DS #1
Постоплата

Транзистор SI2300DS

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
20
Количество в упаковке, шт
1
110 ₽ 
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
12.7 K
О магазине

Описание

Транзистор MOS-FET SI2300DS (2300)

Корпус SOT23 (TO236)

Корпус и назначение:
  • Корпус: SOT-23 (TO-236AB) — 3-выводной миниатюрный корпус для поверхностного монтажа (SMD).
  • Назначение: Маломощный P-канальный MOSFET (полевой транзистор) с индуцированным каналом (обогащение). Предназначен для низковольтной ключевой коммутации в качестве высококачественного ключа или "идеального диода", особенно для цепей защиты от обратной полярности и управления питанием.
Предельные параметры (Absolute Max, Ta=25°C):
  • Напряжение сток-исток (VDSS): -20 В
  • Напряжение затвор-исток (VGSS): ±12 В
  • Постоянный ток стока (ID): -2.8 А (при TA=25°C, зависит от условий охлаждения)
  • Импульсный ток стока (IDM): -10 А
  • Рассеиваемая мощность (PD): 1.25 Вт (при 25°C, при условии монтажа на плату 1 дюйм²)
  • Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C
  • Температура хранения (Tstg): от -55 до +150 °C
Основные электрические характеристики (Typical, Ta=25°C, если не указано):
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): -0.7 В (макс. -1.5 В) (при ID=-250 мкА, VDS=VGS)
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): ≤ 0.1 Ом (макс., при VGS=-4.5 В, ID=-1.5 А)
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≤ 0.055 Ом (тип., при VGS=-2.5 В, ID=-1.5 А)
  • Входная емкость (Ciss): ≈ 300 пФ (тип., при VGS=0 В, VDS=-10 В, f=1 МГц)
  • Емкость обратной связи (Crss): ≈ 40 пФ (тип., при тех же условиях)
  • Общий заряд затвора (Qg): ≈ 6.5 нКл (тип., при VGS=-4.5 В)
  • Время включения (td(on) + tr): ≈ 20 нс (тип.)
  • Время выключения (td(off) + tf): ≈ 30 нс (тип.)
Температурные зависимости:
  • PD: снижается с ростом температуры окружающей среды.
  • VGS(th): имеет отрицательный температурный коэффициент.
  • RDS(on): имеет положительный температурный коэффициент (значительно увеличивается с нагревом).
Распиновка (вид сверху на корпус SOT-23):
  • Затвор (G) — Управляющий электрод.
  • Исток (S) — Электрод, общий для входной и выходной цепи.
  • Сток (D) — Выходной электрод. *Внимание: Это стандартная распиновка для большинства MOSFET в SOT-23. Для P-канального транзистора сток (D) имеет отрицательный потенциал относительно истока (S) при открытом состоянии.*
Ключевые особенности:
  • Очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Ключевое преимущество. Значения ≤0.1 Ом (при -4.5 В) и особенно ≤0.055 Ом (при -2.5 В) обеспечивают минимальные потери напряжения и мощности на ключе.
  • Управление логическим уровнем: Низкое пороговое напряжение (|VGS(th)| < 1.5 В) и эффективное открытие при напряжении затвора -2.5 В позволяют управлять напрямую от микроконтроллеров (3.3 В, 5 В) в активно-низком уровне (для открытия ключа на затвор подается 0 В или отрицательное напряжение относительно истока).
  • Высокий ток коммутации: При хорошем теплоотводе способен коммутировать токи до 2.5–3 А.
  • Встроенный обратный диод: Содержит паразитный диод "исток-сток" (анод на стоке D, катод на истоке S).
Типовое применение:
  • Защита от обратной полярности питания: Включается последовательно в плюсовую линию питания ("высокий side switch"). При правильном включении его встроенный диод не проводит в обратном направлении, что отличает его от обычного диода Шоттки.
  • Управление питанием (Power Switching): Включение/выключение питания отдельных модулей или всей системы.
  • Схемы "идеального диода" (OR-контроллеры): Для объединения нескольких источников питания без потерь на диодах.
  • Коммутация сильноточных низковольтных нагрузок (моторы, светодиодные ленты).
Важные замечания по применению:
  • Тепловой режим: При токах >1 А обязательна достаточная медная площадка на печатной плате для отвода тепла. RDS(on) сильно растет с температурой.
  • Полярность управления: Для открытия P-канального MOSFET напряжение на затворе (G) должно быть ниже, чем на истоке (S). Обычно исток подключается к питанию (+V), а для открытия ключа затвор заземляется (0 В).
  • Чувствительность к статике: Требует мер защиты от ESD.

Комплектация

1 шт. Транзистор SI2300DS

#Транзистор
#mosfet
#SI2300DS
#2300
#SOT23
#TO236

Характеристики

Артикул
2484416317
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
20
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
3x3x2
Вес товара, г
0.5
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Показать сначала: новые и полезные с высокой оценкой
Юрий
16 сентября 2026
В
Виктор Ш.
31 марта 2026
5 / 5
Рейтинг формируется на основе актуальных отзывов
5 звёзд
2
4 звезды
0
3 звезды
0
2 звезды
0
1 звезда
0

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.