Транзистор IGBT RJP3053DPP
Корпус TO220F
Основные характеристики:
- Тип транзистора: N-channel IGBT с ультрабыстрым диодом в обратной проводимости (Reverse Conducting IGBT, RC-IGBT)
- Корпус: TO-220F (изолированный, без металлической контактной площадки)
- Назначение: Инверторы, импульсные преобразователи, управление двигателями, сварочные аппараты.
2. Электрические параметры (при 25°C, если не указано иное):
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Максимальный ток коллектора (IC):
- 15 А (при 25°C)
- ~9 А (при 100°C)
- Напряжение насыщения (VCE(sat)):
- 1.55 В (тип., при IC = 15 А, VGE = 15 В)
- Пороговое напряжение затвора (VGE(th)):
- 4.0 – 6.0 В (тип. 5.0 В при IC = 1 мА)
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В
- Встроенный диод:
- Прямое напряжение (VF): 1.7 В (при IF = 15 А)
3. Динамические характеристики:
- Время включения (td(on)): ~35 нс
- Время выключения (td(off)): ~150 нс
- Заряд затвора (Qg): ~45 нКл (при VGE = 15 В)
4. Тепловые параметры:
- Температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C
- Тепловое сопротивление (RθJC): 2.08 °C/Вт (кристалл-корпус)
- Тепловое сопротивление (RθJA): ~50 °C/Вт (без теплоотвода)
5. Типовые применения:
- Инверторы и частотные преобразователи
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
6. Особенности корпуса TO-220F:
- Изолированный корпус (не требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор).
- Улучшенные тепловые характеристики по сравнению с обычным TO-220.