Транзистор MOS-FET. N-P-N переход.
Фото НЕ из интернета!
Номер партии может отличаться от указанного на фото. Зависит от поставки. Но это никак не влияет на качество товара.
Краткие характеристики:
Vdss=30V 4A Pout>15W, Gp>7dB@Vdd=12.5V, f=520MHz
Описание:
RD15HVF1 - это транзистор типа MOS-FET, специально разработанный для применения в УКВ/сверхвысокочастотных усилителях высокой мощности Особенности: Высокая мощность и высокий коэффициент усиления. Высокая эффективность: 60% в диапазоне VHF Высокая эффективность: 55% в диапазоне UHF приложение Для выходного каскада усилителей высокой мощности в УКВ/сверхвысокочастотном диапазоне Широкополосные мобильные радиостанции. Соответствие требованиям RoHS обозначается буквой “G” после маркировки партии. Этот продукт содержит свинец в припоях с высокой температурой плавления. Однако это относится к следующим исключениям из требований RoHS. 1.Свинец в припоях с высокой температурой плавления (например, оловянно-свинцовые припои, содержащие более 85% свинца).