Транзистор P1003BDF

Транзистор MOS-FET P1003BDF

Корпус DPAK (TO252AA)

Основные электрические характеристики

• Тип: P-channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): -30 В
• Максимальный ток стока (ID):
  • -12 А (при 25°C)
  • -8 А (при 100°C)
• Максимальный импульсный ток (IDM): -48 А
• Сопротивление сток-исток (RDS(on)):
  • 50 мОм (при VGS = -10 В)
  • 70 мОм (при VGS = -4.5 В)
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): -1.0 ~ -2.5 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В

2. Динамические параметры

• Входная ёмкость (Ciss): 800 пФ
• Проходная ёмкость (Crss): 60 пФ
• Выходная ёмкость (Coss): 200 пФ
• Полный заряд затвора (Qg): 15 нКл (при VGS = -10 В)
• Время включения (td(on)): 10 нс
• Время выключения (td(off)): 30 нс

3. Тепловые параметры

• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 40 Вт (при 25°C)
• Тепловое сопротивление (RθJC): 3.0 °C/Вт
• Тепловое сопротивление (RθJA): 75 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (TJ): -55°C ~ +150°C

4. Корпусные данные (DPAK/TO-252AA)

• Тип корпуса: DPAK (TO-252AA)
• Распределение выводов:
  • 1: Gate (G)
  • 2: Drain (D) - соединен с металлической площадкой
  • 3: Source (S)
• Шаг выводов: 2.3 мм

5. Встроенный защитный диод

• Прямое напряжение (VSD): 1.2 В (при IF = -12 А)
• Время обратного восстановления (trr): ~100 нс

6. Рекомендуемые области применения

• DC-DC преобразователи
• Управление питанием (Power Management)
• Системы горячей замены (Hot Swap)
• Защитные схемы
• Импульсные стабилизаторы
• Управление батареями

Ключевые особенности:

• Компактный корпус DPAK (TO-252AA)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Быстрое переключение
• Встроенный защитный диод
• Оптимизирован для работы с логическими уровнями управления
• Подходит для автоматизированного монтажа (SMD)

Транзистор P1003BDF предназначен для применения в компактных силовых схемах, где требуется эффективное управление питанием с использованием P-channel MOSFET.