•
Реклама
Код товара: 2484416097
Транзистор IRFD420 #1

Транзистор IRFD420

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Максимальный ток разряда, A
500
Количество в упаковке, шт
1
Товар закончился
595 ₽ 
Нет в наличии
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
11.8 K
О магазине

Другие предложения от продавцов на Ozon Россия

Описание

Транзистор MOS-FET IRFD420

Корпус HD-1

Ключевые электрические и эксплуатационные параметры (Параметры работы)

Абсолютные максимальные режимы (Никогда не превышать!)
  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET
  • Напряжение "Сток-Исток" (Drain-Source Voltage), VDS: 500 В
  • Напряжение "Затвор-Исток" (Gate-Source Voltage), VGS: ±20 В
  • Постоянный ток стока (Continuous Drain Current), ID при TC = 25°C: 3.0 А
  • Постоянный ток стока (Continuous Drain Current), ID при TC = 100°C: 1.9 А
  • Импульсный ток стока (Pulsed Drain Current), IDM: 12 А
  • Рассеиваемая мощность (Power Dissipation), PD при TC = 25°C: 40 Вт (при условии монтажа на идеальный радиатор)
  • Максимальная температура перехода (Junction Temperature), TJ: +150 °C
  • Диапазон температур хранения (Storage Temperature Range), Tstg: от -55 °C до +150 °C
  • Термическое сопротивление:
    • "Переход-Корпус" (Junction-to-Case), RθJC: 2.5 °C/Вт
    • "Переход-Окружающая среда" (Junction-to-Ambient), RθJA: 62.5 °C/Вт (без радиатора)
Электрические характеристики (Измерения при Tj = 25°C, если не указано иное)
  • Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage), VGS(th):
    • Условия: VDS = VGS, ID = 250 мкА
    • Минимум: 2.0 В
    • Типичное: 4.0 В
    • Максимум: 5.0 В
  • Сопротивление открытого канала (Static Drain-Source On-Resistance), RDS(on):
    • При VGS = 10 В и ID = 1.5 А: макс. 1.8 Ом
  • Ток утечки затвора (Gate Body Leakage), IGSS: макс. ±100 нА (при VGS = ±20 В)
  • Время включения (Turn-On Time), ton: типично 45 нс
  • Время выключения (Turn-Off Time), toff: типично 55 нс
  • Емкости (Capacitances):
    • Входная емкость (Input Capacitance), Ciss: типично 350 пФ
    • Выходная емкость (Output Capacitance), Coss: типично 85 пФ
    • Проходная емкость (Reverse Transfer Capacitance), Crss: типично 25 пФ
  • Назначение: Управление нагрузками в высоковольтных цепях, импульсные источники питания, драйверы двигателей.

Комплектация

1 шт. Транзистор IRFD420

#Транзистор
#mosfet
#IRFD420
#HD_1

Характеристики

Артикул
2484416097
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Максимальный ток разряда, A
500
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
10.67x8.38x4.83
Вес товара, г
1
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.