Транзистор MOS-FET IRFD024
Корпус HEXDIP (4 pins)
Ключевые электрические и эксплуатационные параметры (Параметры работы)
Абсолютные максимальные режимы (Никогда не превышать!)
- Тип транзистора: N-Channel MOSFET
- Напряжение "Сток-Исток" (Drain-Source Voltage), VDS: 60 В
- Напряжение "Затвор-Исток" (Gate-Source Voltage), VGS: ±20 В
- Постоянный ток стока (Continuous Drain Current), ID при TC = 25°C: 1.7 А
- Постоянный ток стока (Continuous Drain Current), ID при TC = 100°C: 1.1 А
- Импульсный ток стока (Pulsed Drain Current), IDM: 6.8 А
- Рассеиваемая мощность (Power Dissipation), PD при TC = 25°C: 20 Вт (при условии монтажа на идеальный радиатор)
- Максимальная температура перехода (Junction Temperature), TJ: +150 °C
- Диапазон температур хранения (Storage Temperature Range), Tstg: от -55 °C до +150 °C
- Термическое сопротивление:
- "Переход-Корпус" (Junction-to-Case), RθJC: 3.0 °C/Вт
- "Переход-Окружающая среда" (Junction-to-Ambient), RθJA: 62.5 °C/Вт (без радиатора)
Электрические характеристики (Измерения при Tj = 25°C)
- Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage), VGS(th):
- Условия: VDS = VGS, ID = 250 мкА
- Минимум: 2.0 В
- Типичное: 3.0 В
- Максимум: 4.0 В
- Сопротивление открытого канала (Static Drain-Source On-Resistance), RDS(on):
- При VGS = 10 В и ID = 0.85 А: макс. 0.55 Ом
- Ток утечки затвора (Gate Body Leakage), IGSS: макс. ±100 нА (при VGS = ±20 В)
- Время включения (Turn-On Time), ton: типично 30 нс
- Время выключения (Turn-Off Time), toff: типично 25 нс
- Емкости (Capacitances):
- Входная емкость (Input Capacitance), Ciss: типично 180 пФ
- Выходная емкость (Output Capacitance), Coss: типично 50 пФ
- Проходная емкость (Reverse Transfer Capacitance), Crss: типично 15 пФ
Распиновка (Pinout) для корпуса HEXDIP-4
- Вывод 1: Затвор (Gate)
- Вывод 2: Сток (Drain) (Внимание! Этот вывод электрически и механически соединен с металлическим фланцем)
- Вывод 3: Не подключен (No Connection)
- Вывод 4: Исток (Source)
Важные примечания по корпусу и монтажу
- Особенность корпуса: HEXDIP-4 - это фактически корпус TO-126 с четырьмя выводами вместо трех. Четвертый вывод (обычно вывод 3) часто является неподключенным (NC) и служит для механической фиксации и симметрии.
- Крепление радиатора: Металлический фланец находится под электрическим потенциалом Стока (Drain, вывод 2). При креплении к радиатору необходимо использовать изолирующую прокладку.
- Пайка: Предназначен для сквозного монтажа (Through-Hole Technology, THT). Выводы вставляются в отверстия платы и паяются с обратной стороны.
- Назначение: Универсальный силовой MOSFET для коммутации средних токов в импульсных источниках питания, драйверах двигателей и других силовых приложениях.