Транзистор IRF9640
Корпус TO220
Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings):
- Напряжение Сток-Исток (VDSVDS): -200 В
- Напряжение Затвор-Исток (VGSVGS): ±20 В
- Постоянный ток стока (IDID) при TcTc = 25°C: -11 А
- Импульсный ток стока (IDMIDM): -44 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PDPD) при TcTc = 25°C: 150 Вт
- Максимальная температура перехода (TJTJ): 150 °C
- Температура хранения (TstgTstg): от -55 до +150 °C
2. Электрические характеристики (Static Characteristics):
- Сопротивление открытого канала RDS on:
- Макс.: 0.50 Ом (при VGSVGS = -10 В, IDID = -5.3 А)
- Макс.: 0.75 Ом (при VGSVGS = -4.5 В, IDID = -4.0 А)
- Пороговое напряжение затвора VGS:
- Диапазон: от -2.0 до -4.0 В (при IDID = -250 μA)
- Ток утечки стока (IDSSIDSS): < -10 μА (при VDSVDS = -200 В, VGSVGS = 0 В)
- Ток утечки затвора (IGSSIGSS): ±100 нА (при VGSVGS = ±20 В)
3. Динамические характеристики (Switching Characteristics):
- Емкость "входная" (CissCiss): 650 пФ (тип., при VDSVDS = -50 В, VGSVGS = 0 В)
- Емкость "выходная" (CossCoss): 180 пФ (тип.)
- Емкость "проходная" (CrssCrss): 50 пФ (тип.)
- Заряд затвора (QgQg): 44 нКл (тип., при VGSVGS = -10 В)
- Время включения : 35 нс (тип.)
- Время выключения : 70 нс (тип.)
4. Параметры встроенного диода (Body Diode):
- Прямое напряжение диода (VSDVSD): -1.3 В (макс., при ISIS = -11 А)
- Время обратного восстановления (trrtrr): 290 нс (тип., при IFIF = -11 А)
5. Тепловые параметры:
- Тепловое сопротивление переход-корпус (RθJCRθJC): 1.0 °C/Вт
- Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (RθJARθJA): 62 °C/Вт
6. Особенности корпуса TO-220:
- Цоколевка (вид со стороны выводов):
- Левый вывод: Затвор (Gate)
- Центральный вывод: Сток (Drain)
- Правый вывод: Исток (Source)
- Металлический фланец соединен со СТОКОМ (Drain)
- Обязательно использовать изолирующую прокладку при монтаже на радиатор
- Момент затяжки винта: 0.6 Н м
7. Применение:
- Мостовые схемы преобразователей
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Управление двигателями
- Схемы коммутации высокого напряжения
8. Важные примечания:
- P-канальный MOSFET (требует отрицательного напряжения на затворе относительно истока)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии
- Высокая скорость переключения
- Встроенный защитный диод