•
Реклама
Код товара: 2484416093
Транзистор IRF9530NS #1
Постоплата

Транзистор IRF9530NS

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
16x11x5
295 ₽ 
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
12.5 K
О магазине

Описание

Транзистор MOS-FET IRF9530NS

Корпус D2PAK (TO263)

Основные параметры
  • Тип: P-канальный (P-Channel) MOSFET
  • Технология / Серия: HEXFET (5-е поколение)
  • Корпус: D2PAK (TO-263-3)
    • Монтаж: Поверхностный (SMD/SMT)
    • Количество выводов: 3 (2 вывода + теплоотводящий фланец)
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): -14 А (при TC = 25°C)
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): -56 А (рассчитано по формуле 4 × ID для данного семейства)
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 200 мОм (0.2 Ом) (при VGS = -10 В, ID = -8.4 А)
  • Рассеиваемая мощность (PD):
    • 79 Вт (при TC = 25°C)
    • 3.8 Вт (при монтаже на плату)
  • Заряд затвора (Qg): 58 нКл (при VGS = 10 В)
  • Входная ёмкость (Ciss): 760 пФ (при VDS = 25 В)
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): -4 В (при ID = -250 мкА)
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Диапазон рабочих температур (TJ): от -55°C до +175°C
Цоколевка (распиновка) для D2PAK (TO-263)

Вид на маркированную сторону корпуса (сверху):
  • Затвор (Gate)
  • Сток (Drain) — соединён с теплоотводящим фланцем
  • Исток (Source)
Особенности и преимущества
  • P-канальный транзистор — управляется отрицательным напряжением на затворе, что упрощает построение схем в верхнем плече (high-side switching).
  • Технология HEXFET 5-го поколения — обеспечивает низкое сопротивление канала и высокую скорость переключения.
  • Полностью лавинно-стойкий (Avalanche Rated) — высокая надёжность при перегрузках.
  • Высокая рабочая температура до +175°C.
Область применения
  • Схемы защиты от переполюсовки и управлении нагрузкой в верхнем плече
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Управление двигателями и другие сильноточные приложения
⚠️ Важно
  • Полярность управления: Это P-канальный транзистор. Для его открытия на затвор необходимо подавать отрицательное напряжение относительно истока (VGS = -10 В).
  • Теплоотвод: Для работы на максимальной мощности (79 Вт) рекомендуется установка на радиатор через печатную плату. Теплоотводящий фланец корпуса электрически соединён со стоком (Drain).

Комплектация

1 шт. Транзистор IRF9530NS

#Транзистор
#mosfet
#IRF9530NS
#D2PAK
#TO263

Характеристики

Артикул
2484416093
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
16x11x5
Вес товара, г
3
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Документы качества:
Товар не подлежит обязательной сертификации
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Отзывы о товаре 0 Транзистор IRF9530NS
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.