Транзистор IRF7474

Транзистор MOS-FET IRF7474

Корпус SO8-150-1.27

Основные статические характеристики

• Тип проводимости: N-канальный.
• Назначение: Высокочастотная коммутация и усиление мощности в компактных решениях.
• Особенность: Оптимизирован для работы на высоких частотах переключения с низкими потерями на проводимость и переключение.

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings)

• Напряжение сток-исток (VDSS): 40 В.
• Напряжение затвор-исток (VGSS): ±20 В.
• Стоковый ток (ID):
  • Непрерывный при TA = 25°C: 6.5 А.
  • Непрерывный при TA = 70°C: 5.0 А.
  • Импульсный (IDM): 26 А.
• Рассеиваемая мощность (PD) при TA = 25°C: 2.5 Вт (на печатной плате с минимальной рекомендованной площадью теплоотвода).
• Диапазон температуры перехода (TJ): от -55°C до +150°C.

Электрические характеристики (при TJ = 25°C, если не указано иное)

Характеристики в режиме отсечки и проводимости

• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)):
  • Минимальное: 2.0 В.
  • Типовое: 2.7 В.
  • Максимальное: 3.5 В.
  • (Измерено при VDS = VGS, ID = 250 мкА).
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
  • Ключевой параметр:
  • Максимальное: 11.5 мОм (при VGS = 10 В, ID = 5.5 А).
  • Максимальное: 13.5 мОм (при VGS = 4.5 В, ID = 5.0 А).
• Крутизна прямой передачи (gfs): Типовое 40 См (при VDS = 20 В, ID = 5.5 А).

Внутренние паразитные элементы

• Интегрированный обратный диод:
  • Прямое падение напряжения (VSD): Типовое 1.4 В (при ISD = 6.5 А, TJ = 25°C).
  • Время обратного восстановления (trr): Типовое 40 нс (при IF = 6.5 А, di/dt = 100 A/µs).

Динамические (переключательные) характеристики

• Емкости (при VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц):
  • Входная емкость (Ciss): Типовое 850 пФ.
  • Выходная емкость (Coss): Типовое 190 пФ.
  • Проходная емкость (Crss): Типовое 32 пФ.
• Заряды затвора (при VDS = 20 В, ID = 5.5 А, VGS = 10 В):
  • Полный заряд затвора (Qg): Типовое 22 нКл.
  • Заряд включения (Qgs): Типовое 5.0 нКл.
  • Заряд обратной передачи (Qgd): Типовое 8.0 нКл.
• Время переключения:
  • Время включения (ton): Типовое 15 нс (при VDD = 20 В, ID = 5.5 А, RG = 1.0 Ом).
  • Время выключения (toff): Типовое 15 нс (при тех же условиях).

Тепловые параметры

• Тепловое сопротивление:
  • Переход-корпус (RθJC): 3.5 °C/Вт.
  • Переход-среда (RθJA): 75 °C/Вт (при монтаже на печатную плату с рекомендованной площадью медного полигона под корпусом).

Рекомендации для стабильной и надежной работы

• Управление затвором: Для достижения минимального RDS(on) и быстрого переключения рекомендуется напряжение на затворе 10 В. При этом транзистор уверенно открывается уже от 4.5 В, что делает его совместимым с некоторыми логическими уровнями. Напряжение на затворе не должно превышать ±20 В.
• Теплоотвод (критически важно для корпуса SO-8): Основной отвод тепла происходит через контактные площадки выводов и медный полигон печатной платы под корпусом. Обязательно использование рекомендованной конфигурации печатной платы с выделенной медной площадкой (тепловым ландшафтом) под корпусом, соединенной с выводами истока и, возможно, стока через тепловые переходные отверстия (thermal vias). Без этого рассеиваемая мощность резко падает.
• Цепь управления затвором (особенно важна из-за высокого быстродействия):
  • Для подавления ВЧ-колебаний, вызванных резонансом паразитной индуктивности монтажа и входной емкостью, обязателен низкоомный последовательный резистор (0.5 - 5 Ом), расположенный максимально близко к затвору.
  • Для гарантированного выключения рекомендуется резистор между затвором и истоком (4.7 - 10 кОм).
• Паразитные индуктивности: Из-за высокой скорости переключения (dI/dt) паразитные индуктивности в силовой цепи (сток-исток) и цепи затвора должны быть минимизированы. Это требует очень компактной разводки печатной платы.
• Область применения: Синхронные выпрямители в сильноточных низковольтных DC-DC преобразователях, ключи в низковольтных мостовых схемах, драйверы двигателей, высокочастотные импульсные стабилизаторы. Не предназначен для работы в сетевых (220 В) схемах.
• Параллельное включение: Из-за низкого RDS(on) и положительного температурного коэффициента сопротивления канала возможно параллельное включение для увеличения общего тока. Требуется индивидуальный резистор в цепи затвора для каждого транзистора и симметричная разводка силовых цепей.