•
Реклама
Код товара: 2484416261
Транзистор IRF7328 #1
Постоплата

Транзистор IRF7328

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
8x6x2
150 ₽ 
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
11.7 K
О магазине

Описание

Транзистор MOS-FET IRF7328

SO8-150-1.27

Ключевые особенности и назначение:
  • Назначение: Два N-канальных MOSFET с логическим уровнем затвора (Logic Level Gate). Позволяет управлять напряжением Vgs от 2.5В до 10В, что удобно для прямого подключения к микроконтроллерам (3.3В, 5В) без драйвера.
  • Конфигурация: Два независимых транзистора в одном корпусе. Нет встроенных диодов между стоками! Это важно при построении мостов.
  • Корпус: SO8-150-1.27 (SOIC-8). Компактный поверхностный корпус с шагом выводов 1.27 мм. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена (~1.5-2 Вт на корпус), но эффективность высокая благодаря низкому Rds(on).
Электрические параметры (абсолютные максимумы, Tj=25°C, если не указано):

Предельные напряжения и токи:
  • Сток-исток напряжение (VDSS): 30 В (макс.). Для схем с питанием 5В, 12В, 24В (с запасом).
  • Ток стока (ID) при Tc=25°C: 7.3 А на каждый транзистор.
  • Ток стока (ID) при Tc=100°C: 4.7 А на каждый транзистор.
  • Ток импульсный (IDM): 29 А (на каждый, ограничено внутренней конструкцией).
  • Рассеиваемая мощность (Pd) при Tc=25°C: 2.0 Вт (на весь корпус, при условии монтажа на минимальную рекомендованную площадку).
  • Температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C.
Параметры управления (Затвор):
  • Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В (макс.). Не превышать!
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1.0 - 2.0 В (тип. 1.5 В при Id=250мкА). Это и есть признак "логического уровня".
  • Статическое сопротивление "сток-исток" во включенном состоянии (RDS(on)): Главный параметр эффективности.
    • При Vgs = 4.5 В: 28 мОм (макс., при Id=5.3A).
    • При Vgs = 10 В: 20 мОм (макс., при Id=7.3A). Типовое значение около 15-17 мОм.
  • Полный заряд затвора (Qg): ~15 нКл (тип. при Vgs=4.5В). Малая величина позволяет использовать для управления слабые драйверы МК.
  • Входная емкость (Ciss): ~350 пФ.
  • Скорость переключения: Быстрая, время нарастания/спада (tr/tf) десятки наносекунд при правильном драйвере.
Параметры встроенного обратного диода (Body Diode):
  • Каждый транзистор имеет паразитный (встроенный) диод между стоком и истоком.
  • Прямой ток диода (IS): 7.3 А (такой же, как ID).
  • Прямое падение на диоде (VSD): ~1.2 В (тип. при IS=7.3A). Довольно высокое! Это важно для синхронных преобразователей, где этот диод проводит в "мертвое время".
  • Время восстановления диода (trr): ~60 нс (тип.). Умеренная скорость, но в быстрых схемах может потребоваться внешний шоттки для минимизации потерь.
Тепловые параметры:
  • Тепловое сопротивление (для всего корпуса):
    • Переход-окружающая среда (RθJA): ~80 °C/Вт (при условии монтажа на плату с площадкой ~1.5 см², как указано в даташите). Высокое значение! Без теплоотвода сильно греется.
    • Переход-корпус (RθJC): ~30 °C/Вт.
  • Расчет температуры кристалла (Tj): Tj = Ta + (P_total × RθJA)
    • P_total = (Id² × Rds(on)_avg × D) + (E_sw × f_sw) (где D - скважность, E_sw - энергия переключения, f_sw - частота).
    • Пример: При Id=3А, Rds(on)=0.025 Ом, D=1 (постоянное включение), Ta=50°C. P = 3² × 0.025 = 0.225 Вт. Tj = 50 + (0.225 × 80) = 50 + 18 = 68°C (в данном режиме безопасно).
    • На высоких частотах нагрев от потерь на переключение становится значимым.
Типовые области применения:
  • Синхронные понижающие (Step-Down) DC-DC преобразователи: Один транзистор как верхний (control), второй как нижний (sync) ключ.
  • Управление нагрузкой (полный мост H-Bridge): Для реверса моторов или управления мощными светодиодами.
  • Схемы OR-ing (резервирование питания): Для переключения между несколькими источниками.
  • Силовые ключи в материнских платах, периферии: Для включения/отключения линий 5В, 12В.
Критические замечания по применению:
  • Теплоотвод: Из-за высокого RθJA обязательно использовать медную полигонную площадку на плате под корпусом, связанную с выводами истока (3,4 и 5,6) и, желательно, с внутренними слоями GND. Иногда требуется дополнительный радиатор.
  • Управление: Хотя транзистор "логический", для быстрого переключения и минимизации потерь настоятельно рекомендуется использовать драйвер MOSFET (например, TC4427), а не выход МК напрямую, особенно на частотах выше 50 кГц.
  • Защита диода: Встроенный диод имеет высокое Vsd и медленное восстановление. В схемах, где этот диод будет активно работать (например, в индуктивной нагрузке), параллельно MOSFET нужно ставить внешний диод Шоттки с низким падением.
  • Работа в линейном режиме: Не рекомендуется. MOSFET предназначен для ключевого режима.

Комплектация

1 шт. Транзистор IRF7328

#Транзистор
#mosfet
#IRF7328
#SO8_150_1_27

Характеристики

Артикул
2484416261
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
8x6x2
Вес товара, г
0.7
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Показать сначала: новые и полезные с высокой оценкой
В
Виталий У.
16 февраля 2026
Уже работает. 
Вам помог этот отзыв?
5 / 5
Рейтинг формируется на основе актуальных отзывов
5 звёзд
1
4 звезды
0
3 звезды
0
2 звезды
0
1 звезда
0

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.