Транзистор IRF640N

Транзистор

IRF640N представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор (MOSFET) производства International Rectifier (ныне часть Infineon Technologies), предназначенный для использования в схемах с высокими требованиями к управлению мощностью и быстрому переключению. 

Основные технические характеристики

Ниже приведены ключевые технические параметры транзистора IRF640N в корпусе TO-220AB, согласно данным производителей и поставщиков: 

Параметр 

напряжение сток-исток (Vds)200 В

Максимальный постоянный ток стока (Id)18 А (при 25°C)

Сопротивление канала в открытом состоянии Rds(on)не более 0,15 Ом (типовое 0,18 Ом при Vgs=10V, Id=11A)

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs max)±20 В

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)150 Вт

Пороговое напряжение на затворе2...4 В

Диапазон рабочих температур от -55 до +175 °CКорпусTO-220AB

Применение и особенности

Транзистор IRF640N отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что делает его эффективным и надежным решением для широкого круга приложений: 

• Регуляторы мощности и импульсные источники питания.
• Преобразователи и инверторы.
• Системы управления скоростью электродвигателей.
• Звуковые усилители и высокочастотные/ультразвуковые генераторы.
• Схемы быстрого переключения нагрузки и системы бесперебойного питания (UPS). 

Устройство выпускается в стандартном корпусе TO-220, который универсально используется для коммерческих и промышленных приложений с рассеиваемой мощностью до примерно 50 Вт и обеспечивает хорошее теплоотведение при использовании соответствующего радиатора.