Транзистор IRF640N
Корпус TO220
Основные параметры
- Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET
- Технология / Серия: HEXFET (5-е поколение)
- Корпус: TO-220AB (TO-220-3)
- Монтаж: Сквозной (Through Hole)
- Количество выводов: 3
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 18 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 150 мОм (0.15 Ом)
- Рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
- Заряд затвора (Qg): 44.7 нКл (тип., при VGS = 10 В)
- Входная ёмкость (Ciss): 1.16 нФ (1160 пФ)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Динамический рейтинг dv/dt: Да
- Температура перехода (TJ): от -55°C до +175°C
Цоколевка (распиновка) для TO-220AB
Вид на маркированную сторону корпуса, выводы вниз:
- Затвор (Gate)
- Сток (Drain) — соединён с металлическим фланцем.
- Исток (Source)
Особенности и преимущества
- Технология 5-го поколения HEXFET: Обеспечивает очень низкое сопротивление канала на единицу площади кремния.
- Динамический рейтинг dv/dt: Высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения.
- Полностью лавинно-стойкий (Avalanche Rated): Высокая надёжность при перегрузках.
- Высокая рабочая температура: До +175°C
- Быстрое переключение: Малый заряд затвора и входная ёмкость.
- Простота управления: Не требует сложных схем драйвера.
Область применения
Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой нагрузочной способности, транзистор используется в:
- Импульсных источниках питания (SMPS) и DC/DC-преобразователях
- Управлении двигателями (Motor control)
- Инверторах и преобразователях
- Схемах коммутации нагрузки (Load switches) и LED-драйверах