Транзистор IRF530N

Транзистор

IRF530N представляет собой N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с повышенной эффективностью и низким сопротивлением канала, предназначенный для использования в схемах управления мощностью. 

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзистора IRF530N (в корпусе TO-220AB): 

Максимальное напряжение сток-исток100В

Максимальный постоянный ток стока (при T=25°C)17 (или 33, в зависимости от производителя/даташита)А

Сопротивление канала в открытом состоянии (макс.)0.09 (или 0.038)Ом

Максимальная рассеиваемая мощность70 (или 110/120)Вт

Максимальное напряжение затвор-исток±20В

Диапазон рабочих температур от -55 до +175°C

Тип корпусаTO-220AB

Обратите внимание, что некоторые параметры, такие как максимальный ток стока и сопротивление канала, могут незначительно отличаться в зависимости от конкретного производителя (например, Infineon, JSMSEMI, Philips). Всегда рекомендуется сверяться с официальным даташитом для конкретной партии или бренда. 

Применение

Благодаря своим характеристикам, IRF530N широко применяется в различных коммерческих и промышленных приложениях: 

• Источники вторичного электропитания: используется в качестве ключа.
• DC-DC преобразователи: эффективен для коммутации и преобразования постоянного тока.
• Схемы управления электродвигателями: подходит для управления нагрузками с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции).
• Регуляторы и стабилизаторы.