Транзистор IRF510

Транзистор

IRF510 представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET), предназначенный для использования в качестве ключа или усилителя в различных электронных схемах. Он широко используется в коммерческих и промышленных приложениях благодаря сочетанию быстрого переключения, надежности и низкой стоимости корпуса TO-220AB. 

Технические характеристики

Основные технические параметры транзистора IRF510, согласно технической документации от производителя Vishay, приведены ниже: 

напряжение сток-исток (VDS)100 В

Постоянный ток стока (ID)5.6 А при 25°C, 4.0 А при 100°C

Импульсный ток стока (IDM)20 А

Максимальное напряжение затвор-исток (VGS)±20 В

Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on))0.54 Ом при VGS=10В, ID=3.4А

Максимальная рассеиваемая мощность (PD)43 Вт при температуре корпуса 25°C

Пороговое напряжение на затворе (VGS(th))от 2 В до 4 В

Диапазон рабочих температурот -55°C до +175°C

Тип корпусаTO-220AB

Применение

Транзистор IRF510 подходит для широкого спектра применений, особенно там, где требуется управление средними токами и напряжениями. 

• Переключатели мощности: используется в импульсных регуляторах и преобразователях напряжения.
• Драйверы: применяется для управления двигателями, реле, светодиодами и другими мощными нагрузками.
• Радиоэлектроника: популярен в радиолюбительской практике, например, для создания простых усилителей мощности в QRP-передатчиках (мощностью около 5 Вт).
• Автоматика: находит применение в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике.