Транзистор MOS-FET IRF3703
Корпус TO220
Основные электрические характеристики
- Тип: N-channel MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Максимальный ток стока (ID):
- 210 А (при 25°C)
- 160 А (при 100°C)
- Максимальный импульсный ток (IDM): 840 А
- Сопротивление сток-исток (RDS(on)):
- 1.8 мОм (при VGS = 10 В)
- 2.3 мОм (при VGS = 4.5 В)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1-2 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
Динамические параметры
- Входная ёмкость (Ciss): 5200 пФ
- Проходная ёмкость (Crss): 350 пФ
- Выходная ёмкость (Coss): 1100 пФ
- Полный заряд затвора (Qg): 110 нКл (при VGS = 10 В)
- Время включения (td(on)): 15 нс
- Время выключения (td(off)): 50 нс
Тепловые параметры
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 200 Вт (при 25°C)
- Тепловое сопротивление (RθJC): 0.75 °C/Вт
- Тепловое сопротивление (RθJA): 40 °C/Вт
- Диапазон рабочих температур (TJ): -55°C до +175°C
Корпусные данные (TO-220)
- Тип корпуса: TO-220 (неизолированный)
- Распределение выводов:
- 1 (левый): Gate (G)
- 2 (центральный): Drain (D)
- 3 (правый): Source (S)
- Диаметр монтажного отверстия: 3.5 мм
Встроенный защитный диод
- Прямое напряжение (VSD): 1.0 В (при IF = 210 А)
- Время обратного восстановления (trr): ~120 нс
Рекомендуемые области применения
- DC-DC преобразователи высокой мощности
- Системы управления двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Инверторы и сварочное оборудование
- Силовые ключи в автомобильной электронике
Особенности
- Чрезвычайно низкое сопротивление RDS(on)
- Высокий ток проводимости
- Быстрое переключение
- Требует качественного теплоотвода из-за высокой мощности
- Подходит для высокочастотных импульсных преобразователей
Примечание: При работе с максимальными токами обязательно использование радиатора. Корпус TO-220 требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор, если необходима электрическая изоляция.