Транзистор IRF100B201

IRF100B201, Транзистор: N-MOSFET; полевой

МОП-транзистор МОП-транзистор, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Технические параметры

Структура MOSFET

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 441

Крутизна характеристики, S 278

Особенности -

Id - непрерывный ток утечки 192 A

Pd - рассеивание мощности 441 W

Qg - заряд затвора 170 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.2 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V

Вид монтажа Through Hole

Время нарастания 97 ns

Время спада 100 ns

Высота 15.65 mm

Длина 10 mm

Канальный режим Enhancement

Категория продукта МОП-транзистор

Количество каналов 1 Channel

Коммерческое обозначение StrongIRFET

Конфигурация Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 278 S

Максимальная рабочая температура + 175 C

Минимальная рабочая температура 55 C

Подкатегория MOSFETs

Полярность транзистора N-Channel

Размер фабричной упаковки 1000

Технология Si

Тип продукта MOSFET

Типичное время задержки выключения 110 ns

Типичное время задержки при включении 17 ns